Consumable Products

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Lapping Plate

렙핑정반

양면 Lapping 장비는 웨이퍼의 양면을 동시에 연마하여 표면 평탄도와 두께 균일성을 확보하는 공정입니다. 이 과정에서 사용되는 Lapping Plate는 연마 품질에 직접적인 영향을 미치는 핵심 구성 요소로, 웨이퍼의 평행도와 평탄도에 필수적인 요소입니다. 또한, Lapping Plate는 웨이퍼의 양면 연마 공정에서 높은 정밀도와 생산성을 보장하는 핵심 도구로, 반도체 및 정밀 산업 분야의 품질을 결정짓는 중요한 역할을 합니다.

Pure Copper Plate

동정반

Wafer 제작 공정의 DMP(Dual Mechanical Polishing) 기계적 연마 단계에서는 고도의 표면 평탄화와 균일한 두께를 달성하기 위해 정밀한 연마 도구가 필수적입니다. 이 과정에서 사용되는 Pure Copper Plate는 뛰어난 기계적 및 화학적 특성으로 최적의 연마 성능을 제공합니다.

Resin Copper Plate

수지동정반

Resin copper Plate는 주로 래핑 및 폴리싱 공정에 사용됩니다. 이 플레이트는 레진과 구리의 특성을 결합하여 최적의 성능을 제공합니다.  
낮은 발열량: 폴리싱 과정에서 발열량이 낮아 작업물의 무결성을 유지할 수 있습니다. 온도 변화 최소화: 온도 변화가 최소화되어 일관된 성능을 보장하며, 열 손상 위험을 줄입니다.
향상된 절삭 성능: 절삭 성능과 표면 거칠기가 최적화되어 단단한 재료를 가공하는 데 이상적입니다.

Ceramic Bolck

세라믹 블럭

웨이퍼 CMP 공정에서 사용되는 세라믹 블록은 웨이퍼 표면을 평탄하게 연마하는 데 중요한 역할을 합니다. 이 블록은 고강도 세라믹 소재로 제작되어 내구성이 뛰어나며, 연마 과정에서 일관된 성능을 제공합니다.
내구성: 고강도 세라믹 소재로 제작되어 오랜 기간 동안 사용이 가능합니다.
정밀성: 웨이퍼 표면을 균일하게 연마하여 고품질의 평탄도를 제공합니다.
표면 평탄도
: 세라믹 블록의 표면 평탄도가 2μm 이내여야 합니다. 이는 웨이퍼를 블록 표면에 왁스 본딩한 후, 뒤집어서 폴리싱 패드와 접촉시켜 회전하며 연마할 때, 일관된 평탄도를 유지하기 위해 중요합니다.

Ceramic Conditioning Ring

면다시링

CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정에서사용되는 세라믹 컨디셔닝 링은 CMP 패드의 표면을 유지하고 최적의 작동 상태를 유지하기 위해 사용되는중요한 장치입니다.
내구성: 경화된 소재로 제작되어 오랜 기간 동안 사용이 가능합니다.
정밀성: 패드 표면을 균일하게 유지하여 고품질의 연마 작업을 가능하게 합니다.
효율성: 패드의 수명을 연장하고, 연마 작업의 효율성을 높입니다.

Polishing PAD

연마천

CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정에서 사용되는 세라믹 컨디셔닝 링은 CMP 패드의 표면을 유지하고 최적의 작동 상태를 유지하기 위해 사용되는 중요한 장치입니다.
내구성: 경화된 소재로 제작되어 오랜 기간 동안 사용이 가능합니다.
정밀성: 패드 표면을 균일하게 유지하여 고품질의 연마 작업을 가능하게 합니다.
효율성: 패드의 수명을 연장하고, 연마 작업의 효율성을 높입니다.